Flash память Renesas Electronics Corp.

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип памяти
Объем памяти
Быстродействие
Интерфейс
Напряжение питания
Flash память (112)
Акция AT45DB041D-SU Флэш-память шина SPI электропитание 1.8В 4Мбит 512K x 8 7нс Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W Объем памяти: 4M-bit Напряжение питания: 1.8V
AT45DB041E-MHN-Y IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8UDFN Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: 8-UDFN (5x6)
AT45DB041E-SHN-B Флэш-память 4Mбит 85МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIJ8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 4M (2048 pages x 264 bytes) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT45DB041E-SHN-T Флэш-память 4Mбит 85МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 4M (2048 pages x 264 bytes) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
Акция AT45DB041E-SSHN-B Флэш-память шина SPI электропитание 1.8В 4Мбит 512K x 8 7нс 8-Pin SOIC N туба Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 4M (2048 pages x 264 bytes) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT45DB041E-SSHN-T Флэш-память 4Mбит 85МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 4M (2048 pages x 264 bytes) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT45DB041E-SSHN2B-T IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
AT45DB081D-SSU Флэш-память 8Мбит, электропитание 2.7В двустраничный буфер ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
Акция AT45DB081D-SSU-SL954 Флэш-память 8Мбит, электропитание 2.7В двустраничный буфер ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
Акция AT45DB081D-SSUR Флэш-память 8Мбит, электропитание 2.7В двустраничный буфер ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
AT45DB081D-SSUR-SL954 Флэш-память 8Мбит, электропитание 2.7В двустраничный буфер ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8
AT45DB081D-SU Флэш-память 8Мбит, электропитание 2.7В двустраничный буфер ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
Акция AT45DB081D-SU-SL383-AD Флэш-память 8Мбит, электропитание 2.7В двустраничный буфер ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
AT45DB081D-SU-SL954 Флэш-память 8Мбит, электропитание 2.7В двустраничный буфер ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
AT45DB081E-MHN-Y IC FLASH 8MBIT 85MHZ 8UDFN Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: 8-UDFN (5x6)
AT45DB081E-SHN-B Флэш-память 8Mбит 85МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W Объем памяти: 8Mbit Напряжение питания: 1.7V
AT45DB081E-SHN-T Флэш-память 8Mбит 85МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIJ8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 8M (4096 pages x 264 bytes) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
Акция AT45DB081E-SSHN-B Флэш-память шина SPI электропитание 1.8В/2.5В/3.3В 8Мбит 1M x 8 7нс 8-Pin SOIC N туба Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 8M (4096 pages x 264 bytes) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT45DB081E-SSHN-T Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит), электропитание 1.7В шина SPI Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8 Объем памяти: 8Mbit Напряжение питания: 1.7V
Акция AT45DB161D-SU Флэш-память 16Mбит, электропитание 2.7В со сдвоенным 528-бит буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
На странице: