Flash память Renesas Electronics Corp.

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип памяти
Объем памяти
Быстродействие
Интерфейс
Напряжение питания
Flash память (112)
AT25SL128A-MHE-T Флэш-память ячейки ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 1.8В 128Мбит 6нс 8-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Renesas Electronics Corp. Объем памяти: 128M-bit Напряжение питания: 1.8V
AT25XE041B-MAHN-T IC FLASH 4MBIT 8UDFN Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: 8-UDFN (2x3)
AT25XE041B-MHN-Y IC FLASH 4MBIT 8UDFN Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: 8-UDFN (5x6)
AT25XE041B-SSHN-B Флэш-память 4Mбит 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8 Объем памяти: 4M-bit Напряжение питания: 1.8V/2.5V/3.3V
AT25XE041B-SSHN-T Флэш-память 4Mбит 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 4M (512K x 8) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT25XE041B-XMHN-T IC FLASH 4MBIT 8TSSOP Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: TSSOP8 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 4M (512K x 8) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT45DB011D-SH-B Флэш-память 1Мбит электропитание 2.7...3.6В с 264-бит статическим буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
Акция AT45DB011D-SH-T Флэш-память 1Мбит электропитание 2.7...3.6В с 264-бит статическим буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
Акция AT45DB011D-SSH-T Flash serial 1M bit, 2.7...3.6 with One 264-Byte SRAM Buffer Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8
Акция AT45DB021D-SH-B Flash serial 2M bit, 2.7...3.6V with One 264-Byte SRAM Buffer Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
Акция AT45DB021D-SH-T Flash serial 2M bit, 2.7...3.6V with One 264-Byte SRAM Buffer Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
Акция AT45DB021E-SHN-B Флэш-память 2Мбит электропитание 2.7...3.6В с 264-бит статическим буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
AT45DB021E-SHN-T Флэш-память 2Мбит электропитание 2.7...3.6В с 264-бит статическим буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
AT45DB021E-SSHN-B Флэш-память шина SPI электропитание 1.8В/2.5В/3.3В 2Mбит 8нс Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8 Объем памяти: 2Mbit Напряжение питания: 1.8V/2.5V/3.3V
AT45DB021E-SSHN-T Флэш-память 2Mбит 70МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 2M (1024 pages x 264 bytes) Быстродействие: 70MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT45DB021E-SSHN2B-T Флэш-память 2Mбит 70МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 2M (1024 pages x 256 bytes) Быстродействие: 70MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
Акция AT45DB041D-SSU Флэш-память 4Mбит, электропитание 2.7...3.6В со сдвоенным 264-бит буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
AT45DB041D-SSUR Флэш-память 4Mбит, электропитание 2.7...3.6В со сдвоенным 264-бит буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
AT45DB041D-SU Flash serial 4M bit, 2.7-Volt Only with Two 264-Byte SRAM Buffer Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
AT45DB041D-SU Флэш-память 4Mбит, электропитание 2.7В со сдвоенным 264-бит буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
На странице: