Flash память

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип памяти
Объем памяти
Быстродействие
Интерфейс
Напряжение питания
Flash память (254)
AT25XE041B-SSHN-T Флэш-память 4Mбит 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8 Тип памяти: FLASH Объем памяти: 4M (512K x 8) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT45DB011D-SH-B Флэш-память 1Мбит электропитание 2.7...3.6В с 264-бит статическим буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
Акция AT45DB011D-SH-T Флэш-память 1Мбит электропитание 2.7...3.6В с 264-бит статическим буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
Акция AT45DB021E-SHN-B Флэш-память 2Мбит электропитание 2.7...3.6В с 264-бит статическим буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
AT45DB021E-SHN-T Флэш-память 2Мбит электропитание 2.7...3.6В с 264-бит статическим буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
AT45DB021E-SSHN-B Флэш-память шина SPI электропитание 1.8В/2.5В/3.3В 2Mбит 8нс Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8 Объем памяти: 2Mbit Напряжение питания: 1.8V/2.5V/3.3V
AT45DB021E-SSHN-T Флэш-память 2Mбит 70МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 2M (1024 pages x 264 bytes) Быстродействие: 70MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT45DB021E-SSHN2B-T Флэш-память 2Mбит 70МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 2M (1024 pages x 256 bytes) Быстродействие: 70MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
Акция AT45DB041D-SSU Флэш-память 4Mбит, электропитание 2.7...3.6В со сдвоенным 264-бит буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
AT45DB041D-SSUR Флэш-память 4Mбит, электропитание 2.7...3.6В со сдвоенным 264-бит буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
AT45DB041D-SU Флэш-память 4Mбит, электропитание 2.7В со сдвоенным 264-бит буфером ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W
Акция AT45DB041D-SU Флэш-память шина SPI электропитание 1.8В 4Мбит 512K x 8 7нс Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO8W Объем памяти: 4M-bit Напряжение питания: 1.8V
AT45DB041E-SHN-B Флэш-память 4Mбит 85МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIJ8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 4M (2048 pages x 264 bytes) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT45DB041E-SHN-T Флэш-память 4Mбит 85МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 4M (2048 pages x 264 bytes) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
Акция AT45DB041E-SSHN-B Флэш-память шина SPI электропитание 1.8В 4Мбит 512K x 8 7нс 8-Pin SOIC N туба Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 4M (2048 pages x 264 bytes) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT45DB041E-SSHN-T Флэш-память 4Mбит 85МГц 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SO-8 Тип памяти: DataFLASH Объем памяти: 4M (2048 pages x 264 bytes) Быстродействие: 85MHz Интерфейс: SPI, RapidS Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V
AT45DB041E-SSHN2B-T IC FLASH 4MBIT 85MHZ 8SOIC Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
AT45DB081D-SSU Флэш-память 8Мбит, электропитание 2.7В двустраничный буфер ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
Акция AT45DB081D-SSU-SL954 Флэш-память 8Мбит, электропитание 2.7В двустраничный буфер ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
Акция AT45DB081D-SSUR Флэш-память 8Мбит, электропитание 2.7В двустраничный буфер ОЗУ Производитель: Renesas Electronics Corp. Корпус: SOIC8
На странице:

Flash-память – разновидность EEPROM. В числе преимуществ этого типа памяти можно указать быстродействие, сравнительную дешевизну, высокую плотность записи информации. Недостатки – относительно низкий ресурс ячеек (тысячи и десятки тысяч стираний), а также утечка разряда из ячеек, приводящая к порче данных.

Flash-память в каталоге «Промэлектроники»

Через каталог «Промэлектроники» можно купить микросхемы Flash-памяти NOR, NAND, NAND SLC объемом до 8 Гбит, частотой до 167 МГц и быстродействием до 20 нс в корпусах DIP, PLCC, SOIC и TSOP. Вы можете запросить консультацию в случае сомнений.

Цена на Flash память

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Flash память в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Flash память - от 10.21 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Flash память в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Flash память в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"