EEPROM память Microchip Technology Inc.

Фильтр
Фильтр
Корпус
Объем и организация памяти
Быстродействие
Интерфейс
Напряжение питания
EEPROM память (777)
25LC512-I/SM Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 20МГц 8SOIJ Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SO8W Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 512K (64K x 8) Быстродействие: 20MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
25LC512-I/SN Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 20МГц 8SOIC Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIC8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 512K (64K x 8) Быстродействие: 20MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
25LC512T-I/SN Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 20МГц 8SOIC Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SO-8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 512K (64K x 8) Быстродействие: 20MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
Акция 25LC640-E/SN Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 8Kx8 Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SO-8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 64K (8K x 8) Быстродействие: 2MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
Акция 25LC640-I/P Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 8Kx8 Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: DIP-8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 64K (8K x 8) Быстродействие: 2MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
25LC640-I/SN Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 8Kx8 Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SO-8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 64K (8K x 8) Быстродействие: 2MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
25LC640A-E/SN Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 10МГц 8SOIC Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIC8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 64K (8K x 8) Быстродействие: 10MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
25LC640A-E/ST IC EEPROM 64KBIT 10MHZ 8TSSOP Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: 8-TSSOP
25LC640A-I/P Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 10МГц 8DIP Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: DIP-8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 64K (8K x 8) Быстродействие: 10MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
Акция 25LC640A-I/SN Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 8Kx8 Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SO-8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 64K (8K x 8) Быстродействие: 10MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
25LC640A-I/ST Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 10МГц 8TSSOP Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: TSSOP8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 64K (8K x 8) Быстродействие: 10MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
Акция 25LC640AT-I/SN Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 8Kx8 Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SO-8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 64K (8K x 8) Быстродействие: 10MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
Акция 25LC640T-E/SN Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 8Kx8 Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SO-8 Тип памяти: EEPROM
25LC640T-I/SN Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 8Kx8 Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SO-8 Тип памяти: EEPROM
25LC640X-I/ST Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 2МГц 8TSSOP Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: TSSOP8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 64K (8K x 8) Быстродействие: 2MHz Интерфейс: SPI Serial Напряжение питания: 2.5 V ~ 5.5 V
93AA46A-I/SN Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 2МГц 8SOIC Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIC8
93AA46B-I/SN Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 2МГц 8SOIC Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIC8
93AA46BT-I/OT Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 2МГц SOT23-6 Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-23-6
93AA46C-I/SN Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 2МГц Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIC8 Тип памяти: EEPROM Быстродействие: 2MHz
93AA46CT-I/SN Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 2МГц Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOIC8 Тип памяти: EEPROM Объем и организация памяти: 1K (128 x 8 or 64 x 16) Быстродействие: 1MHz, 2MHz, 3MHz Интерфейс: Microwire, 3-Wire Serial Напряжение питания: 1.8 V ~ 5.5 V
На странице: