Статическая память - SRAM Integrated Silicon Solution, Inc купить оптом и в розницу

IS61WV102416BLL-10TLI Статическое ОЗУ питание 2.5В/3.3В 16Мбит 1M x 16 10нс асинхронное Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP48 Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 16M (1M x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV10248BLL-10TLI Статическое ОЗУ 8Mбит 10нс 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 8M (1M x 8) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV12816DBLL-10TLI IC SRAM 2MBIT 10NS 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II

Сообщить о поступлении

IS61WV1288EEBLL-10TLI IC SRAM 1MB 10NS 32TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP32-II

Сообщить о поступлении

IS61WV25616BLL-10BLI Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 48MINIBGA Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: 48-miniBGA (6x8) Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (256K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV25616BLL-10BLI-TR Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 48MINIBGA Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: 48-miniBGA (6x8)

Сообщить о поступлении

IS61WV25616BLL-10KLI IC SRAM 4MB 8NS 44 SOJ Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc

Сообщить о поступлении

IS61WV25616BLL-10TLI Статическое ОЗУ питание 2.5В/3.3В 4Мбит 256К x 16 10нс асинхронное Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (256K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV25616BLL-10TLI-TR Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (256K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV25616BLS-25TLI IC SRAM 4MBIT 25NS 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (256K x 16) Быстродействие: 25ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV25616EDBLL-10TLI Статическая память 4мБит 10нс 2.5-3.3В Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (256K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR Статическое ОЗУ 4Мбит 10нс 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: 44-TSOP II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (256K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV51216BLL-10TLI Статическое ОЗУ питание 3.3В 8М-бит 512Kx16 10нс асинхронное Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 8M (512K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV51216EDBLL-10TLI Статическое ОЗУ 8Мбит 10нс 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 8M (512K x 16) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV51216EDBLL-8BLI Статическое ОЗУ 8Мбит 8нс 48BGA Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: 48-TFBGA (6x8) Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 8M (512K x 16) Быстродействие: 8ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV51232BLL-10BLI Статическое ОЗУ 16Mбит 10нс 90FBGA Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: FBGA90-(8x13) Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 16M (512K x 32) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV5128BLL-10KLI Статическое ОЗУ 4Мбит 8нс 36SOJ Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: * Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (512K x 8) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 1.65 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV5128BLL-10TLI Статическая память 4мБит 512K x 8, 10нс, 2.5-3.3В Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II Тип памяти: SRAM - Asynchronous Объем и организация памяти: 4M (512K x 8) Быстродействие: 10ns Интерфейс: Parallel Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V

Сообщить о поступлении

IS61WV5128BLL-10TLI-TR IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II

Сообщить о поступлении

IS61WV5128EDBLL-10TLI IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP Производитель: Integrated Silicon Solution, Inc Корпус: TSOP44-II

Сообщить о поступлении