Статическая память - SRAM Integrated Silicon Solution, Inc купить оптом и в розницу

IS61C1024AL-12JLI Статическое ОЗУ 1Mбит 12нс 32SOJ

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

SOJ32

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

1M (128K x 8)

Быстродействие:

12ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C1024AL-12JLI-TR Статическое ОЗУ 1Mбит 12нс 32SOJ

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

SOJ32

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

1M (128K x 8)

Быстродействие:

12ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C1024AL-12KLI Статическое ОЗУ 1Mбит 12нс 32SOJ

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

SOJ32

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

1M (128K x 8)

Быстродействие:

12ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C1024AL-12KLI-TR Статическое ОЗУ 1Mбит 12нс 32SOJ

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

SOJ32

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

1M (128K x 8)

Быстродействие:

12ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C1024AL-12TLI Статическое ОЗУ питание 5В 1М-бит 128Kx8 12нс асинхронное

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

TSOP32

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

1M (128K x 8)

Быстродействие:

12ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C1024AL-12TLI-TR Статическое ОЗУ 1Mбит 12нс 32TSOP

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

TSOP32-I

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

1M (128K x 8)

Быстродействие:

12ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C25616AL-10KLI Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 44SOJ

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

SOJ44

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

4M (256K x 16)

Быстродействие:

10ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C25616AL-10TLI Статическое ОЗУ питание 5В 4М-бит 256Kx16 10нс асинхронное

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

TSOP44

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

4M (256K x 16)

Быстродействие:

10ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C25616AL-10TLI-TR Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 44TSOP

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

TSOP44-II

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

4M (256K x 16)

Быстродействие:

10ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C25616AS-25TLI Статическое ОЗУ 4Mбит 25нс 44TSOP

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

TSOP44-II

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

4M (256K x 16)

Быстродействие:

25ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C256AL-12JLI Статическое ОЗУ 32K x 8 12нс

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

SOJ28

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

256K (32K x 8)

Быстродействие:

12ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C256AL-12JLI-TR Статическое ОЗУ 256Kбит 12нс 28SOJ

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

SOJ28

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

256K (32K x 8)

Быстродействие:

12ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C256AL-12TLI Статическое ОЗУ 256Kбит 12нс 28TSOP

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

TSOP28-I

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

256K (32K x 8)

Быстродействие:

12ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C256AL-12TLI-TR Статическое ОЗУ 256Kбит 12нс 28TSOP

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

TSOP28-I

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

256K (32K x 8)

Быстродействие:

12ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C5128AL-10KLI Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 36SOJ

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

SOJ36

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

4M (512K x 8)

Быстродействие:

10ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C5128AL-10KLI-TR Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 36SOJ

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

SOJ36

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

4M (512K x 8)

Быстродействие:

10ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C5128AL-10TLI Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 44TSOP

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

TSOP44-II

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

4M (512K x 8)

Быстродействие:

10ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C5128AL-10TLI-TR Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 44TSOP

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

TSOP44-II

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

4M (512K x 8)

Быстродействие:

10ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C5128AS-25HLI Статическое ОЗУ 4Mбит 25нс 32STSOP

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

sTSOP32-I

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

4M (512K x 8)

Быстродействие:

25ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении

IS61C5128AS-25QLI Статическое ОЗУ 512K x 8, питание 5 25нс низкое энергопотребление -40..+85°С

Производитель:

Integrated Silicon Solution, Inc

Корпус:

SOP32

Тип памяти:

SRAM - Asynchronous

Объем и организация памяти:

4M (512K x 8)

Быстродействие:

25ns

Интерфейс:

Parallel

Напряжение питания:

4.5 V ~ 5.5 V

Сообщить о поступлении