to247 купить оптом и в розницу

AlN KC304000-TO247.05NX Подложка керамическая теплопроводящая AlN 180 Вт/мК

Производитель:

Россия

Наличие:

0 шт

Под заказ:

100 шт

Цена от:

от 255,72₽

IKW40N65ES5XKSA1 Транзистор IGBT, 650В, 50А, 115Вт, TO247-3

Производитель:

Infineon Technologies

Наличие:

204 шт

Под заказ:

530 шт

Цена от:

от 122,83₽

IPW60R120C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 19A TO247-3

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

19А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

224 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 512,24₽

IKW40N120H3 Транзистор биполярный с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Производитель:

Infineon Technologies

Наличие:

0 шт

Под заказ:

600 шт

Цена от:

от 496,77₽

IPW65R041CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 68.5А 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

700В

Ток стока макс.:

68.5А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

156 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 418,54₽

IPW60R060C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 54А 162Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

54А

Мощность макс.:

162Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

43 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 604,40₽

IPW90R120C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 36A

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

36A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

417Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

6800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

101 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 071,98₽

IKQ75N120CH3XKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором 1.2кВ, 150А, 938Вт, TO-247

Производитель:

Infineon Technologies

Наличие:

668 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 458,11₽

IGW20N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT 600В 20А TO-247

Производитель:

Infineon Technologies

Наличие:

218 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 256,74₽

IRF100P219XKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 304А туба

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

304А

Тип транзистора:

N-канальный

Наличие:

23 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 317,57₽

IPW60R190P6FKSA1 Транзистор полевой 151Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

0.2A

Мощность макс.:

151Вт

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

292 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 191,89₽

IKW30N60DTPXKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Наличие:

84 шт

Под заказ:

256 шт

Цена от:

от 284,50₽

IKW40T120FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 270 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200V

Макс. ток коллектора:

40A

Наличие:

42 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 635,23₽

IHW30N160R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1600 В

Макс. ток коллектора:

30 А

Макс. рассеиваемая мощность:

310 Вт

Наличие:

1 096 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 263,71₽

BCA50-1200 Силовой тиристор 50А 1200В

Производитель:

TECH Semiconductors Co., Ltd

Напряжение закрытого состояния:

1200В

Напряжение управления (Vgt) (макс.):

1.8В

Ток управления (Igt) (макс.):

100мА

Напряжение открытого состояния (Vtm) (Max):

1.8В

Ток открытого состояния постоянный (It (AV)) (макс.):

50А

Ток удержания (Ih) (Макс.):

150мА

Предельный ток на 50, 60 Гц (Itsm):

600А

Тип тиристора:

стандартный

Наличие:

10 730 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

6 200 шт

Цена от:

от 32,15₽