Главная
Результаты поиска "igbt с диодом"

igbt с диодом

Фильтр

Спецпредложения
Новинки

Все товары
Одиночные IGBT транзисторы (4)
Драйверы MOSFET, IGBT (2)

Показывать:

Все

В наличии

В Розничном магазине. Екатеринбург, ул. Колмогорова 70

igbt с диодом (6)

DG25X12T2 Транзистор биполярный IGBT со встроенным диодом 1200В/25А общего применения Производитель: STARPOWER Semiconductor Ltd. Корпус: TO-247-3

Наличие:

42 шт

Под заказ:

1 937 шт

Цена от:

от 198,01₽

STGW38IH130D Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1300V Макс. ток коллектора: 33А Переключаемая энергия: 3.4 мДж

Наличие:

146 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 294,98₽

L6386ED013TR Полумостовой драйвер со встроенным диодом 600В 650мА Производитель: ST Microelectronics Корпус: SO14 Конфигурация: High and Low Side, Independent Тип входа: Non-Inverting Время задержки: 110ns Пиковый ток: 400mA Число выходов: 2 Напряжение питания: 17V

Наличие:

113 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

262 шт

Цена от:

от 136,73₽

L6386ED Полумостовой драйвер со встроенным диодом 600В 650мА Производитель: ST Microelectronics Корпус: SO14 Конфигурация: High and Low Side, Independent Тип входа: Non-Inverting Время задержки: 110ns Пиковый ток: 400mA Число выходов: 2 Напряжение питания: 17V

Наличие:

55 шт

Под заказ:

207 шт

Аналоги:

113 шт

Цена от:

от 129,74₽

STGP19NC60KD Биполярный транзистор с изолированным затвором 600В/20А/Uкэ нас.=1.8В/встроенный диод Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220

Наличие:

131 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 115,02₽

IKW08T120FKSA1 Транзистор биполярный с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200V Макс. ток коллектора: 8A

Наличие:

236 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 258,87₽